对比图
描述 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVERSTMICROELECTRONICS L6385ED 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, -0.3V至17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8STMICROELECTRONICS L6385E 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, -0.3V至17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, DIP-8
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 8 8 8
封装 SO-8 SOIC-8 DIP-8
频率 - 400 kHz 400 kHz
电源电压(DC) 17.0V (max) -300 mV (min) -300 mV (min)
额定功率 - 750 mW 750 mW
上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns
输出接口数 2 2 2
输出电压 - 580 V 580 V
输出电流 - 400 mA 400 mA
通道数 - 2 2
针脚数 - 8 8
耗散功率 750 mW 750 mW 0.75 W
上升时间 50 ns 50 ns 50 ns
下降时间 30 ns 30 ns 30 ns
下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns
上升时间(Max) 50 ns 50 ns 50 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -45 ℃ -45 ℃ -45 ℃
耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW
电源电压 - 17 V 17 V
电源电压(Max) - 17 V 17 V
电源电压(Min) - 0.3 V 0.3 V
长度 - 5 mm 10.92 mm
宽度 - 4 mm 6.6 mm
高度 - 1.25 mm 3.32 mm
封装 SO-8 SOIC-8 DIP-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/06/16
ECCN代码 - EAR99 EAR99