CSD17577Q3AT和RQ3E180BNTB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD17577Q3AT RQ3E180BNTB IRFHM8326TRPBF

描述 TEXAS INSTRUMENTS  CSD17577Q3AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.4 VTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8Pin HSMT EP T/RINFINEON  IRFHM8326TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 1.7 V 新

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSONP-8 PowerVDFN-8 PowerTDFN-8

额定功率 - - 2.8 W

通道数 1 - 1

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 0.004 Ω - 0.0038 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 53 W 2 W 2.8 W

阈值电压 1.4 V - 1.7 V

漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V

连续漏极电流(Ids) 19A - 19A

上升时间 31 ns - 35 ns

输入电容(Ciss) 1780pF @15V(Vds) 3500pF @15V(Vds) 2496pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - - 2.8 W

下降时间 4 ns - 12 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 53W (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) 2.8W (Ta), 37W (Tc)

宽度 3.5 mm - 3.3 mm

封装 VSONP-8 PowerVDFN-8 PowerTDFN-8

长度 3.5 mm - -

高度 0.9 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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