2N6351和JAN2N6351

对比图

型号 2N6351 JAN2N6351 JANTX2N6351

描述 NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORSmall Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-33, TO-33, 4 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) API Technologies

分类 双极性晶体管

封装 TO-33 TO-33 TO-33

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 4 4 -

封装 TO-33 TO-33 TO-33

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Bulk Box -

极性 NPN NPN -

耗散功率 1000 mW 1 W -

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V -

集电极最大允许电流 5A 5A -

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @5A, 5V -

额定功率(Max) - 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -