对比图
型号 FDS4953 SI4435DY STS4DPF30L
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4953 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -5 A, -30 V, 55 mohm, -10 V, -1.7 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI4435DY. 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 VSTMICROELECTRONICS STS4DPF30L 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -30.0 V
额定电流 -5.00 A -8.80 A -4.00 A
通道数 2 - 2
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 55 mΩ 0.015 Ω 0.07 Ω
极性 P-Channel, Dual P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2 W 2.5 W 2 W
输入电容 528 pF 1.60 nF -
栅电荷 6.00 nC 17.0 nC -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V -150 V 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) -5.00 A -8.80 A 4.00 A
上升时间 13 ns 13.5 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 528pF @15V(Vds) 1604pF @15V(Vds) 1350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 1 W 2 W
下降时间 9 ns - 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2 W 2.5W (Ta) 2000 mW
阈值电压 - - 1 V
长度 5 mm 4.9 mm 5 mm
宽度 4 mm 3.9 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.57 mm 1.25 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -