PD55035S和PD55035S-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD55035S PD55035S-E PD55035-E

描述 RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYRF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 PowerSO-10-4 PowerSO-10RF PowerSO-10RF

频率 - 500 MHz 500 MHz

额定电流 - 7 A 7 A

耗散功率 95.0 W 95000 mW 95 W

输出功率 - 35 W 35 W

增益 - 16.9 dB 16.9 dB

测试电流 - 200 mA 200 mA

输入电容(Ciss) - 92pF @12.5V(Vds) 92pF @12.5V(Vds)

工作温度(Max) - 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 95000 mW 95000 mW

额定电压 - 40 V 40 V

极性 N-Channel N-Channel -

漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7.00 A -

额定电压(DC) - 40.0 V -

漏源极电压(Vds) - 40 V -

长度 - - 7.5 mm

宽度 - - 9.4 mm

高度 - - 3.5 mm

封装 PowerSO-10-4 PowerSO-10RF PowerSO-10RF

工作温度 - - -65℃ ~ 165℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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