PD57018-E和PD57018TR-E

对比图

型号 PD57018-E PD57018TR-E PD57018

描述 PD57018-E系列 65 V 18 W N沟道 增强模式 横向MOSFET - PowerSORF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管晶体管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10

频率 945 MHz 945 MHz 945 MHz

额定电压(DC) 65.0 V - -

额定电流 2.5 A - -

针脚数 3 - -

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 31.7 W 31700 mW 31700 mW

输入电容 34.5 pF - -

漏源极电压(Vds) 65 V 65 V -

漏源击穿电压 65.0 V - 65.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.50 A - 2.50 A

输出功率 18 W 18 W 18 W

增益 16.5 dB 16.5 dB 16.5 dB

测试电流 100 mA 100 mA 100 mA

输入电容(Ciss) 34.5pF @28V(Vds) 34.5pF @28V(Vds) 34.5pF @28V(Vds)

工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 31700 mW 31700 mW 31700 mW

额定电压 65 V 65 V 65 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 9.5 mm - -

宽度 9.4 mm - -

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10

工作温度 -65℃ ~ 165℃ - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -