对比图
型号 FDB8870 STB80NF03L-04T4 PHB66NQ03LT,118
描述 N沟道MOSFET PowerTrench㈢ ？ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFETN沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFETMOSFET N-CH 25V 66A SOT404
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 160 A 80.0 A -
漏源极电阻 0.0039 Ω 4.00 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 160 W 300 W 93 W
阈值电压 2.5 V - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 35.0 A 80.0 A -
上升时间 98 ns 270 ns -
输入电容(Ciss) 5200pF @15V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 300 W 93 W
下降时间 47 ns 95 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 160W (Tc) 300W (Tc) 93W (Tc)
通道数 - 1 -
输入电容 - 5500 pF -
高度 4.83 mm - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 - 9.35 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -60℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -