对比图
型号 BC847BPDW1T2G BC847BPDW1T3G BC847BPDW1T1G
描述 双路通用晶体管 Dual General Purpose TransistorsON SEMICONDUCTOR BC847BPDW1T3G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, PNP, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新ON SEMICONDUCTOR BC847BPDW1T1G. 晶体管 双极-射频, NPN, PNP, 45 V, 380 mW, 100 mA, 100 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SOT-363-6 SOT-363 SC-70-6
频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free
针脚数 6 6 3
极性 NPN+PNP NPN, PNP NPN, PNP
耗散功率 380 mW 380 mW 380 mW
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V
额定功率(Max) 380 mW 380 mW 380 mW
直流电流增益(hFE) 200 200 100
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -50 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 380 mW 380 mW 380 mW
增益频宽积 100 MHz - -
最大电流放大倍数(hFE) 475 - -
额定电压(DC) - - 45.0 V
额定电流 - - 1.00 A
额定功率 - - 0.38 W
输出电压 - - ≤5.00 V
长度 2 mm 2.2 mm 2 mm
宽度 1.25 mm 1.35 mm 1.25 mm
高度 0.9 mm 1 mm 0.9 mm
封装 SOT-363-6 SOT-363 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99