对比图
型号 CSD87331Q3D CSD87333Q3D CSD86330Q3D
描述 30V 同步降压 NexFET™ 电源块高占空比同步降压 NexFET 3x3 电源块同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 LSON-CLIP-8 VSON-8 LDFN-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 - 0.0119 Ω 4.6 Ω
极性 Dual N-Channel Dual N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 6 W 6 W 6 W
阈值电压 2.1 V 950 mV 1.4 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V
上升时间 - 3.9 ns -
输入电容(Ciss) 518pF @15V(Vds) 662pF @15V(Vds) 920pF @12.5V(Vds)
额定功率(Max) 6 W 6 W 6 W
下降时间 - 2.2 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
电源电压(DC) - - 22.0V (max)
通道数 2 - 2
耗散功率(Max) 6 W - 6 W
长度 3.4 mm 3.3 mm 3.4 mm
宽度 3.3 mm 3.3 mm 3.4 mm
高度 1.5 mm 1 mm 1.5 mm
封装 LSON-CLIP-8 VSON-8 LDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 125℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2017/07/07 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99