BC856ALT1G和BC856CMTF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC856ALT1G BC856CMTF BC 856A E6327

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC856ALT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC856CMTF  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 150 MHz, 310 mW, -100 mA, 420 hFETrans GP BJT PNP 65V 0.1A 3Pin SOT-23 T/R

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 150 MHz -

额定电压(DC) -65.0 V -65.0 V -65.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

针脚数 3 3 -

极性 PNP, P-Channel PNP -

耗散功率 225 mW 310 mW 330 mW

增益频宽积 100 MHz - 250 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 125 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 125 @2mA, 5V

额定功率(Max) 225 mW 310 mW 330 mW

直流电流增益(hFE) 125 420 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 310 mW 330 mW

长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.94 mm 0.93 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -

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