DS1245AB-70和DS1245AB-70+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1245AB-70 DS1245AB-70+ DS1245Y-70IND

描述 1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1245AB-70+  芯片, 存储器, NVRAM1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 - 32 -

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70 ns 70 ns 70.0 ns

内存容量 125000 B 125000 B 125000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.25 V 5.25 V -

电源电压(Min) 4.75 V 4.75 V -

负载电容 - - 5.00 pF

宽度 18.8 mm 18.8 mm -

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

长度 43.69 mm - -

高度 9.4 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - 3A991.b.2.a

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