NTD4813N-1G和NTD4813NT4G

对比图

型号 NTD4813N-1G NTD4813NT4G NTD4813NHT4G

描述 40A,30V,N沟道MOSFET40A,30V,N沟道功率MOSFET40A,30V功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

通道数 1 - -

漏源极电阻 13 mΩ - -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.94 W 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) 1.94 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V - -

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 9.00 A, 40.0 A 9.00 A, 40.0 A

上升时间 19.3 ns 19.3 ns -

输入电容(Ciss) 860pF @12V(Vds) 860pF @12V(Vds) 940pF @12V(Vds)

额定功率(Max) 1.27 W 1.27 W 1.27 W

下降时间 19.3 ns 3.3 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 40.0 A -

输入电容 - 860 pF -

栅电荷 - 7.90 nC -

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 2.38 mm - 6.22 mm

高度 6.35 mm - 2.38 mm

封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Rail Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99