对比图
型号 IRF8707TRPBF STS11NF30L SI4386DY-T1-E3
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOIC T/RN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSI4386DY-T1-E3 编带
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
漏源极电阻 17.5 mΩ 0.0085 Ω 7 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 3.1 W
产品系列 IRF8707 - -
输入电容 760pF @15V - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A 16.0 A
输入电容(Ciss) 760pF @15V(Vds) 1440pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 1.47 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 11.0 A -
额定功率 - 2.5 W -
阈值电压 - 1 V -
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±18.0 V -
上升时间 - 39 ns 9 ns
下降时间 - 16 ns 10 ns
耗散功率(Max) - 2500 mW 3100 mW
长度 5 mm 5 mm -
高度 1.5 mm 1.25 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
宽度 - 4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - - 2500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -