FQT4N20LTF和IRLM210A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQT4N20LTF IRLM210A STN4NF20L

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQT4N20LTF  晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 2 V先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STN4NF20L  晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 2 V 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 4

封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4

通道数 - - 1

针脚数 3 - 4

漏源极电阻 1.1 Ω - 1.1 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 2.2 W - 3.3 W

阈值电压 2 V - 2 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 850 mA 0.77A 1A

上升时间 70 ns - 2 ns

输入电容(Ciss) 310pF @25V(Vds) - 150pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.2 W - 3.3 W

下降时间 40 ns - 10.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.2 W - 3.3W (Tc)

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 850 mA - -

漏源击穿电压 200 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 6.5 mm - 6.5 mm

高度 1.6 mm - 1.8 mm

封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4

宽度 3.56 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -

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