MJE5851和MJE5851G

对比图

型号 MJE5851 MJE5851G

描述 8安培PCP硅功率晶体管300 - 350 - 400伏80瓦 8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS8安培PCP硅功率晶体管300 - 350 - 400伏80瓦 8 AMPERE PCP SILICON POWER TRANSISTORS 300 - 350 - 400 VOLTS 80 WATTS

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) -350 V -350 V

额定电流 -8.00 A -8.00 A

极性 PNP PNP

耗散功率 80 W 80 W

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V

集电极最大允许电流 8A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 5 @5A, 5V 5 @5A, 5V

额定功率(Max) 80 W 80 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 80000 mW

长度 10.28 mm 10.53 mm

宽度 4.82 mm 4.83 mm

高度 9.28 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk Tube

最小包装 50 -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99