2N3767和JAN2N3766

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3767 JAN2N3766 JANTX2N3767

描述 Trans GP BJT NPN 80V 4A 3Pin(2+Tab) TO-66NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Semelab Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-66 TO-66 TO-66

耗散功率 - - 25 W

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 25000 mW 25000 mW

封装 TO-66 TO-66 TO-66

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

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