SPP11N80C3和SSS4N60B

对比图

型号 SPP11N80C3 SSS4N60B APT11N80KC3G

描述 INFINEON  SPP11N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETTO-220AC N-CH 800V 11A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

额定电压(DC) 800 V - 800 V

额定电流 11.0 A - 11.0 A

额定功率 156 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.39 Ω 2.50 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 156 W 33.0 W 156 W

阈值电压 3 V - -

漏源极电压(Vds) 800 V 600 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 4.00 A 11.0 A

上升时间 15 ns - -

输入电容(Ciss) 1600pF @100V(Vds) - 1585pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 156 W - 156 W

下降时间 7 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 156 W - 156W (Tc)

输入电容 - - 1.59 nF

栅电荷 - - 60.0 nC

漏源击穿电压 - 600 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

长度 10.36 mm - -

宽度 4.57 mm - -

高度 9.45 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -