对比图
型号 AOI2N60 STD1HNC60-1 AOU2N60
描述 600V,2A,N沟道MOSFETN沟道600V 4 OHM 2A DPAK / IPAK的PowerMESH II MOSFET N-CHANNEL 600V 4 OHM 2A DPAK/IPAK POWERMESH II MOSFETTO-251A N-CH 600V 2A
数据手册 ---
制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-251-3 IPAK TO-251-3
极性 N-CH N-CH N-CH
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 2A 2A 2A
耗散功率 56.8W (Tc) - 56.8W (Tc)
输入电容(Ciss) 325pF @25V(Vds) - 325pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 56.8 W - 56.8 W
耗散功率(Max) 56.8W (Tc) - 56.8W (Tc)
封装 TO-251-3 IPAK TO-251-3
产品生命周期 Not Recommended Unknown Active
包装方式 Tube - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
工作温度 -50℃ ~ 150℃ (TJ) - -50℃ ~ 150℃ (TJ)