STV160NF02LT4和STV160NF03LAT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STV160NF02LT4 STV160NF03LAT4 STV300NH02L

描述 N沟道20V - 0.0016Î © - 160A PowerSO - 10 STripFETâ ?? ¢ II功率MOSFET N-CHANNEL 20V - 0.0016Ω - 160A PowerSO-10 STripFET™ II POWER MOSFETN-CH 30V 160AN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 10

封装 PowerSO-10 PowerSO-10 PowerSO-10

针脚数 - - 10

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 210W (Tc) 210W (Tc) 300 W

阈值电压 - - 1.5 V

输入电容 - - 7055 pF

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 24 V

上升时间 800 ns - 275 ns

输入电容(Ciss) 4800pF @15V(Vds) 5350pF @25V(Vds) 7055pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 210 W - 300 W

下降时间 - - 94.4 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 210W (Tc) 210W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) 20.0 V - -

额定电流 160 A - -

漏源极电阻 1.60 mΩ 2.10 mΩ -

漏源击穿电压 20.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±15.0 V ±15.0 V -

连续漏极电流(Ids) 160 A 160 A -

长度 - - 9.6 mm

宽度 - - 9.5 mm

高度 - - 3.75 mm

封装 PowerSO-10 PowerSO-10 PowerSO-10

工作温度 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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