JAN2N930和JANTX2N930

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N930 JANTX2N930 MPS4250G

描述 TO-18 NPN 45V 0.03ATO-18 NPN 45V 0.03APNP硅晶体管 PNP Silicon Transistor

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-18-3 TO-18-3 TO-92-3

极性 NPN NPN PNP, P-Channel

耗散功率 300 mW 0.3 W 625 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 40 V

集电极最大允许电流 0.03A 0.03A 0.05A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10µA, 5V 100 @10µA, 5V 250 @10mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 625 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 625000 mW

额定电压(DC) - - -40.0 V

封装 TO-18-3 TO-18-3 TO-92-3

长度 - - 5.21 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 - - 7.87 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bag Bag Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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