STD6NF10T4和STP80NF10

对比图

型号 STD6NF10T4 STP80NF10 IRLR3410TR

描述 STMICROELECTRONICS  STD6NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 6.00 A 80.0 A 17.0 A

额定功率 - 300 W -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.22 Ω 0.012 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 30 W 300 W -

阈值电压 4 V 3 V -

输入电容 - 5500 pF -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 80.0 A 17.0 A

上升时间 10 ns 80 ns 53.0 ns

输入电容(Ciss) 280pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 30 W 300 W -

下降时间 3 ns 60 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 30W (Tc) 300W (Tc) -

产品系列 - - IRLR3410

长度 6.6 mm 10.4 mm -

宽度 6.2 mm 4.6 mm -

高度 2.4 mm 9.15 mm -

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -