STP80NF55-06和STW150NF55

对比图

型号 STP80NF55-06 STW150NF55 IRF3205ZPBF

描述 STMICROELECTRONICS  STP80NF55-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VN沟道55V - 0.005欧姆-120A DPAK / TO- 220 / TO- 247 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.005 ohm -120A DPAK/TO-220/TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFETINFINEON  IRF3205ZPBF  晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 110 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

额定功率 - - 170 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0065 Ω 6 mΩ 0.0065 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 300 W 300 W 170 W

阈值电压 3 V - 4 V

输入电容 - - 3450 pF

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 55.0 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A - 110A

上升时间 155 ns 180 ns 95 ns

输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 3450pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W - 170 W

下降时间 65 ns 80 ns 67 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 170000 mW

通道数 1 1 -

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 10.4 mm 15.75 mm 10.54 mm

宽度 4.6 mm 5.15 mm 4.69 mm

高度 9.15 mm 20.15 mm 8.77 mm

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -