PZT2907AT3G和PZT2907A,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PZT2907AT3G PZT2907A,115 PZT2907AT3

描述 ON SEMICONDUCTOR  PZT2907AT3G  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 50 hFENXP  PZT2907A,115  单晶体管 双极, 开关, PNP, -60 V, 250 MHz, 1.15 W, -600 mA, 100 hFEPNP硅外延晶体管 PNP Silicon Epitaxial Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 3 -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

频率 200 MHz 200 MHz -

额定电压(DC) -60.0 V - -60.0 V

额定电流 -600 mA - -600 mA

针脚数 4 3 -

极性 PNP NPN -

耗散功率 1.5 W 1.15 W 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 1.5 W 1.15 W 1.5 W

直流电流增益(hFE) 50 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 1.5 W 1.15 W -

增益频宽积 - - 200 MHz

长度 6.7 mm 6.7 mm 6.5 mm

宽度 3.7 mm 3.7 mm 3.5 mm

高度 1.65 mm 1.7 mm 1.57 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

材质 Silicon - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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