PD57030-E和PD57030S-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PD57030-E PD57030S-E PD57030

描述 30W 945MHZ 28 PowerSO-10 射频(鸥翼)RF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

频率 945 MHz 945 MHz 945 MHz

极性 - - N-Channel

耗散功率 52.8 W 52800 mW 52.8 W

漏源击穿电压 - - 65.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 4.00 A 4.00 A

输出功率 30 W 30 W 30 W

增益 14 dB 14 dB 14 dB

测试电流 50 mA 50 mA 50 mA

工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

额定电压 65 V 65 V 65 V

额定电压(DC) 65.0 V 65.0 V -

额定电流 4 A 4.00 A -

输入电容 57 pF - -

漏源极电压(Vds) 65.0 V 65 V -

输入电容(Ciss) 57pF @28V(Vds) 57pF @28V(Vds) -

耗散功率(Max) 52800 mW 52800 mW -

长度 - - 7.5 mm

宽度 - - 9.4 mm

高度 - - 3.5 mm

封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF PowerSO-10

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃ -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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