IRF2907ZPBF和STP140NF75

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF2907ZPBF STP140NF75 FDP032N08

描述 Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeSTMICROELECTRONICS  STP140NF75  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP032N08  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0025 ohm, 10 V, 3.5 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 75.0 V 75.0 V -

额定电流 75.0 A 120 A -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.0075 Ω 0.0025 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 310 W 375 W

阈值电压 - 4 V 3.5 V

输入电容 - 5000 pF -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 - 75.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 120 A 235A

上升时间 140 ns 140 ns -

输入电容(Ciss) 7500pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds) 15160pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 310 W 375 W

下降时间 - 90 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 310W (Tc) 375W (Tc)

产品系列 IRF2907Z - -

长度 - 10.4 mm 10.1 mm

宽度 - 4.6 mm 4.7 mm

高度 - 9.15 mm 15.38 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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