对比图
型号 CSD18531Q5A IRLH5036TRPBF CSD18563Q5A
描述 TEXAS INSTRUMENTS CSD18531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0035 ohm, 10 V, 1.8 VINFINEON IRLH5036TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 3.7 mohm, 10 V, 1 V60-V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18563Q5A
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Infineon (英飞凌) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PowerTDFN-8 QFN-8 VSON-FET-8
通道数 1 - 1
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0035 Ω 0.0037 Ω 0.0057 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.1 W 3.6 W 116 W
阈值电压 1.8 V 1 V 2 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 100A 20A 100A
上升时间 7.8 ns 48 ns 6.3 ns
输入电容(Ciss) 3840pF @30V(Vds) 5360pF @25V(Vds) 1500pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 3.1 W - 3.2 W
下降时间 2.7 ns 15 ns 1.7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 156W (Tc) 3.6W (Ta), 160W (Tc) 3.2W (Ta), 116W (Tc)
额定功率 - 3.6 W -
长度 5.8 mm - 5.8 mm
宽度 5 mm - 5 mm
高度 1.1 mm - 1.1 mm
封装 PowerTDFN-8 QFN-8 VSON-FET-8
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2017/07/07 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -