JAN2N6675和JAN2N6676

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N6675 JAN2N6676 JANTX2N6675

描述 Trans GP BJT NPN 400V 15A 3Pin(2+Tab) TO-3NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 400V 15A 3Pin(2+Tab) TO-3

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-204 TO-204 TO-3

引脚数 - - 3

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 300 V -

最小电流放大倍数(hFE) 8 @10A, 2V 15 @1A, 3V -

额定功率(Max) 6 W 6 W -

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 6000 mW

封装 TO-204 TO-204 TO-3

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Tray

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 -

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