BC846BPDW1T1和BC846BPDW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC846BPDW1T1 BC846BPDW1T1G

描述 双路通用晶体管( NPN / PNP对偶) Dual General Purpose Transistors(NPN/PNP Duals)ON SEMICONDUCTOR  BC846BPDW1T1G  Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363 新

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6

额定电压(DC) 65.0 V 65.0 V

额定电流 100 mA 100 mA

极性 NPN+PNP NPN, PNP

耗散功率 380 mW 380 mW

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 150 200 @2mA, 5V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 380 mW 380 mW

频率 - 100 MHz

无卤素状态 - Halogen Free

针脚数 - 3

额定功率(Max) - 380 mW

直流电流增益(hFE) - 290

长度 2 mm 2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm

高度 0.9 mm 0.95 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

材质 - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - EAR99

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