BC847BDW1T1G和BC847S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC847BDW1T1G BC847S BC847BDW1T3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC847BDW1T1G.  双极性晶体管阵列, NPN, 双路, 45V, SOT363FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC847S  双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 200 mA, 110 hFE, SC-70ON SEMICONDUCTOR  BC847BDW1T3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, Dual NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

频率 100 MHz 200 MHz 100 MHz

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 45.0 V

额定电流 100 mA 200 mA 100 mA

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

针脚数 6 6 6

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 380 mW 300 mW 380 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 380 mW 300 mW 380 mW

直流电流增益(hFE) 450 110 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 380 mW 300 mW 380 mW

长度 2 mm 2 mm 2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm

高度 0.9 mm 1 mm 0.95 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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