对比图
型号 CSD19531KCS IRFPS3810 CSD19533Q5A
描述 TEXAS INSTRUMENTS CSD19531KCS. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 100A, TO-220-3TO-274AA N-CH 100V 170A100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533Q5A
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Infineon (英飞凌) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 - 8
封装 TO-220-3 SUPER-247 VSON-FET-8
针脚数 3 - 8
漏源极电阻 0.0064 Ω - 0.0078 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 179 W 580W (Tc) 3.2 W
阈值电压 2.7 V - 2.8 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 100A 170 A 100A
上升时间 7.2 ns 270 ns 6 ns
输入电容(Ciss) 3870pF @50V(Vds) 6790pF @25V(Vds) 2670pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 214 W - -
下降时间 4.1 ns - 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 214W (Tc) 580W (Tc) 3.2W (Ta), 96W (Tc)
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 170 A -
产品系列 - IRFPS3810 -
漏源击穿电压 - 100 V -
长度 10.67 mm - -
宽度 4.7 mm - -
高度 16.51 mm - -
封装 TO-220-3 SUPER-247 VSON-FET-8
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tube Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -