STL70N10F3和TL100

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STL70N10F3 TL100 STL100N10F7

描述 100V,0.0078Ω,16A,N沟道功率MOSFETN-channel 100 V, 0.0062 Ohm typ., 19 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageN 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 PowerFLAT-5x6-8 - PowerFLAT-5x6-8

引脚数 - - 8

漏源极电阻 8.4 mΩ - -

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 136 W - 100 W

阈值电压 4 V - 2V ~ 4V

漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V

漏源击穿电压 100 V - -

连续漏极电流(Ids) 82A - 80A

上升时间 11 ns - 40 ns

输入电容(Ciss) 3210pF @25V(Vds) - 5680pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 136 W - 100 W

下降时间 5.7 ns - 15 ns

耗散功率(Max) 136W (Tc) - 5W (Ta), 100W (Tc)

通道数 - - 1

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 PowerFLAT-5x6-8 - PowerFLAT-5x6-8

长度 - - 5.4 mm

宽度 - - 6.35 mm

高度 - - 0.95 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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