对比图
型号 FQB12N60CTM FQB12N60TM_AM002 STB13NK60ZT4
描述 N沟道 600V 12ATrans MOSFET N-CH 600V 10.5A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RSTB13NK 系列 N 沟道 600 Vds 13 A 550 mOhm 150 W 二极管保护 Mosfet - D2Pak
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 12.0 A 10.5 A 13.0 A
通道数 1 - 1
漏源极电阻 650 mΩ 700 mΩ 550 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 225 W 3.13W (Ta), 180W (Tc) 150 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 10.5 A 4.50 A
上升时间 85 ns - 14 ns
输入电容(Ciss) 2290pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds) 2030pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.13 W - 150 W
下降时间 90 ns - 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 225W (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) 150W (Tc)
输入电容 2.29 nF 1.90 nF -
栅电荷 63.0 nC 54.0 nC -
长度 10.67 mm - 10.4 mm
宽度 9.65 mm - 9.35 mm
高度 4.83 mm - 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -