对比图
型号 SI3552DV-T1-E3 SI3552DV-T1-GE3 BSL316C L6327
描述 VISHAY SI3552DV-T1-E3 场效应管, MOSFET, 1.15W, 6-TSOP, SMDVISHAY SI3552DV-T1-GE3 晶体管, 双N&P沟道INFINEON BSL316C L6327 双路场效应管, MOSFET, 互补晶体管, N和P沟道, 1.4 A, 30 V, 0.119 ohm, 10 V, 1.6 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOP TSOP TSOP-457
通道数 - - 2
针脚数 6 6 6
漏源极电阻 0.085 Ω 0.085 Ω 0.119 Ω
极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 1.15 W 1.15 W 500 mW
阈值电压 1 V 1 V 1.6 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 ±30.0 V - 30 V
输入电容(Ciss) - - 94pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 500 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 1150 mW - 500 mW
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 51.0 A - -
热阻 130℃/W (RθJA) - -
长度 3.1 mm - 3 mm
宽度 - - 1.5 mm
高度 1 mm - 1.1 mm
封装 TSOP TSOP TSOP-457
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -