对比图
型号 IRF3808SPBF STB60N55F3 NTB75N06T4G
描述 N沟道 75V 106AN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics75A,60V功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 75.0 V - 60.0 V
额定电流 106 A - 75.0 A
漏源极电阻 7 mΩ 8.5 mΩ 9.50 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 110 W 214 W
产品系列 IRF3808S - -
阈值电压 4 V 4 V -
输入电容 5310pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 75 V 55 V 60 V
漏源击穿电压 75 V 55 V 60.0 V
连续漏极电流(Ids) 106 A 56.0 A, 80.0 A 75.0 A
上升时间 140 ns 50 ns 112 ns
输入电容(Ciss) 5310pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 4510pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 200 W 110 W 2.4 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 -
下降时间 - 11.5 ns 100 ns
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 2.4 W
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 10.67 mm 10.75 mm -
高度 4.83 mm 4.6 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 - 10.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99