对比图
型号 BSP122,115 ZVN2110G ZVN2110GTA
描述 NXP BSP122,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 200 V, 1.7 ohm, 10 V, 2 VDIODES INC. ZVN2110G 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 VZVN2110G 系列 100 V 4 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET-SOT-223
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) Diodes (美台)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 4
封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 500 mA
漏源极电阻 1.7 Ω 4 Ω 4.00 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.5 W 2 W 2 W
漏源极电压(Vds) 200 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - - 100 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 550 mA 500 mA 500 mA
上升时间 - - 4 ns
输入电容(Ciss) 100pF @25V(Vds) - 75pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.5 W - 2 W
下降时间 - - 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1.5W (Ta) - 2000 mW
针脚数 3 3 -
阈值电压 2 V 2.4 V -
长度 6.7 mm - 6.7 mm
宽度 3.7 mm - 3.7 mm
高度 1.7 mm - 1.65 mm
封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99