FDP6670AL和STP85N3LH5

对比图

型号 FDP6670AL STP85N3LH5 GFP75N03

描述 N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP85N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 VTO-220AB N-CH 30V 80A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

漏源极电阻 0.0065 Ω 0.0046 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 75 W 70 W -

阈值电压 1.9 V 2.5 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 40.0 A 80A

输入电容(Ciss) 2440pF @15V(Vds) 1850pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 68 W 70 W -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

耗散功率(Max) 68W (Tc) 70W (Tc) -

针脚数 - 3 -

上升时间 - 14 ns -

下降时间 - 10.8 ns -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active -

包装方式 Rail, Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -