MMBTA55LT1G和MSB710-RT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBTA55LT1G MSB710-RT1G MPSA55G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBTA55LT1G  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFEPNP通用放大器晶体管表面贴装 PNP General Purpose Amplifier Transistor Surface MountON SEMICONDUCTOR  MPSA55G  射频双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-226-3

额定电压(DC) -60.0 V -50.0 V -60.0 V

额定电流 -500 mA -500 mA -500 mA

针脚数 3 - 3

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 225 mW 200 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 50 V 60 V

热阻 - - 83.3℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 120 @150mA, 10V 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) 225 mW 200 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) 100 - 150

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 200 mW 1.5 W

频率 50 MHz - -

长度 3.04 mm 2.9 mm 5.2 mm

宽度 1.4 mm 1.5 mm 4.19 mm

高度 1.01 mm 1.09 mm 5.33 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-226-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台