对比图
型号 FDS6630A FDS9412 BSO119N03S
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6630A 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1.7 V单N沟道增强型场效应晶体管 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorOptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 PG-DSO-8
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V
额定电流 6.50 A 7.90 A 9.00 A
通道数 1 - 1
漏源极电阻 38 mΩ 0.022 Ω 11.9 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 1.56 W
阈值电压 1.7 V 1.6 V 1.6 V
输入电容 460 pF 830 pF 1.73 nF
栅电荷 5.00 nC 14.0 nC 13.0 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 6.50 A 7.90 A 11.0 A
上升时间 8 ns 10.0 ns 3.8 ns
输入电容(Ciss) 460pF @15V(Vds) 830pF @15V(Vds) 1730pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 1 W 1.56 W
下降时间 13 ns - 3.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 1.56W (Ta)
针脚数 8 - -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
长度 4.9 mm - 4.9 mm
宽度 3.9 mm - 3.9 mm
高度 1.575 mm - 1.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 PG-DSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -