对比图
型号 IRFB4410PBF PSMN9R5-100PS STP80NF10
描述 MOSFET，Infineon### 电动机控制 MOSFETInfineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。NXP PSMN9R5-100PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 100 V, 8.16 mohm, 10 V, 3 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.008 Ω 0.00816 Ω 0.012 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 250 W 211 W 300 W
阈值电压 4 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
输入电容(Ciss) 5150pF @50V(Vds) 4454pF @50V(Vds) 5500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 200 W 211 W 300 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW 211 W 300W (Tc)
额定功率 250 W - 300 W
连续漏极电流(Ids) 88A - 80.0 A
上升时间 80 ns - 80 ns
下降时间 50 ns - 60 ns
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 80.0 A
通道数 - - 1
输入电容 - - 5500 pF
漏源击穿电压 - - 100 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 10.66 mm 10.3 mm 10.4 mm
宽度 4.82 mm 4.7 mm 4.6 mm
高度 9.02 mm 16 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
含铅标准 Lead Free - Lead Free
ECCN代码 - - EAR99