对比图
型号 FDH50N50 FCA47N60_F109 FCA47N60
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETSuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-3-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) 500 V - 600 V
额定电流 48.0 A - 47.0 A
漏源极电阻 105 mΩ 70 mΩ 70 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 625 W 417 W 417 W
输入电容 4.98 nF - -
栅电荷 105 nC - -
漏源极电压(Vds) 500 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 500 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 48.0 A 47A 47.0 A
上升时间 360 ns 210 ns -
输入电容(Ciss) 6460pF @25V(Vds) 8000pF @25V(Vds) 8000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 625 W 417 W 417 W
下降时间 230 ns 75 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 625W (Tc) 417W (Tc) 417W (Tc)
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 5 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
通道数 - 1 -
长度 15.87 mm 16.2 mm 16.2 mm
宽度 4.82 mm 5 mm 5 mm
高度 20.82 mm 20.1 mm 20.1 mm
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99