IRFR540ZTRLPBF和STD25NF10T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR540ZTRLPBF STD25NF10T4 STD26NF10

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTMICROELECTRONICS  STD25NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 VN沟道100V - 0.033Ω - 25A - DPAK低栅极电荷的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 100V - 0.033Ω - 25A - DPAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 25.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.033 Ω 0.033 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 91 W 100 W 100 W

阈值电压 - 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 35.0 A 12.5 A 25A

上升时间 - 60 ns 60 ns

输入电容(Ciss) - 1550pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 100 W 100 W

下降时间 - 15 ns 15 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 100W (Tc) 100W (Tc)

输入电容 - - 1550 pF

长度 - 6.6 mm 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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