对比图
型号 FDR4420A FDS4897AC FDS6690AS
描述 单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4897AC 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.1 A, 40 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6690AS 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.6 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 SMD-8 SOIC-8 SOIC-8
通道数 - 2 -
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 9.00 mΩ 0.02 Ω 0.01 Ω
极性 N-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel
耗散功率 1.8W (Ta) 2 W 2.5 W
阈值电压 - 2 V 1.6 V
漏源极电压(Vds) 30 V 40 V 30 V
漏源击穿电压 -100 V 40 V 30.0 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 6.1A/5.2A 10.0 A
输入电容(Ciss) 2560pF @15V(Vds) 1055pF @20V(Vds) 910pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 900 mW 1 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.8W (Ta) 1.6 W 2500 mW
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 11.0 A - 10.0 A
输入电容 2.56 nF - 910 pF
栅电荷 23.0 nC - 16.0 nC
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
上升时间 15.0 ns - 5 ns
下降时间 - - 6 ns
长度 - 4.9 mm 5 mm
宽度 - 3.9 mm 4 mm
高度 - 1.575 mm 1.5 mm
封装 SMD-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99