对比图
型号 STB190NF04T4 STB200NF04T4 BUK763R1-40B,118
描述 N沟道40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFETN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道 VDS=40V VGS=±20V ID=75A P=300W
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Nexperia (安世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V -
额定电流 120 A 120 A -
漏源极电阻 4.30 mΩ 3.70 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 310W (Tc) 310000 mW 300 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
漏源击穿电压 40.0 V 40.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 120 A 120 A -
上升时间 - 320 ns 82 ns
输入电容(Ciss) 5800pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds) 6808pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 310 W 300 W
下降时间 - 120 ns 90 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 310W (Tc) 310000 mW 300W (Tc)
输入电容 - - 5106 pF
长度 - 10.4 mm 10.3 mm
宽度 - 9.35 mm 9.4 mm
高度 - 4.6 mm 4.5 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅