对比图
型号 SI5404BDC-T1-E3 SI5404BDC-T1-GE3 NTHS5404T1G
描述 N 沟道 20 V 0.028 Ohm 表面贴装 功率 MosFet - ChipFET-1206-8VISHAY SI5404BDC-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 7.5A, 1206ON SEMICONDUCTOR NTHS5404T1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 20 V, 25 mohm, 4.5 V, 600 mV
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 1206 1206 SMD-8
封装(公制) - 3216 -
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.022 Ω 0.039 Ω 25 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.3 W 1.3 W 1.3 W
阈值电压 600 mV 1.5 V 600 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 7.50 A 7.50 A 7.20 A
上升时间 12 ns 12 ns 7 ns
下降时间 10 ns 10 ns 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1300 mW - 1.3W (Ta)
额定电压(DC) - - 20.0 V
额定电流 - - 5.20 A
漏源击穿电压 - - 20.0 V
栅源击穿电压 - - ±12.0 V
输入电容(Ciss) - - 740pF @16V(Vds)
额定功率(Max) - - 1.3 W
长度 3.1 mm 3.2 mm 3.1 mm
高度 1.1 mm - 1.1 mm
封装 1206 1206 SMD-8
宽度 - 1.6 mm 1.7 mm
封装(公制) - 3216 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 - - Active
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99