IRF630和IRF630NPBF

对比图

型号 IRF630 IRF630NPBF IRF630PBF

描述 STMICROELECTRONICS  IRF630..  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF630NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 9.3A, TO-220AB 新N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 9.00 A 9.30 A -

漏源极电阻 0.4 Ω 0.3 Ω 0.4 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 75 W 82 W 74 W

产品系列 - IRF630N -

输入电容 - 575pF @25V -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 9.30 A 9.00 A

上升时间 15 ns 14 ns 28 ns

热阻 - 1.83℃/W (RθJC) -

输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 575pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 75 W 82 W -

下降时间 - 15 ns 20 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 75W (Tc) 82000 mW 74000 mW

额定功率 75 W - 75 W

针脚数 3 - 3

阈值电压 3 V - 4 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 10.4 mm 10.67 mm 10.41 mm

高度 9.15 mm 9.02 mm 9.01 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

宽度 4.6 mm - 4.7 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -