对比图
型号 FDD044AN03L STD15NF10T4 STD35NF06LT4
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFETSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STD35NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V 100 V 60.0 V
额定电流 35.0 A 23.0 A 35.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 3.9 mΩ 0.065 Ω 0.014 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 160 W 70 W 80 W
阈值电压 - 3 V 1 V
输入电容 5.16 nF - 1700 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 100 V 60 V
漏源击穿电压 30 V 100 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 35.0 A 23.0 A 17.5 A
上升时间 154 ns 45 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 5160pF @15V(Vds) 870pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 70 W 80 W
下降时间 63 ns 17 ns 20 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 70W (Tc) 80W (Tc)
通道数 1 1 -
栅电荷 91.0 nC - -
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.2 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99