IRF9Z34NPBF和IRFR024NTRPBF

对比图

型号 IRF9Z34NPBF IRFR024NTRPBF IRF9Z24PBF

描述 P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRFR024NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 VVISHAY  IRF9Z24PBF.  晶体管, MOSFET, P沟道, 9.7 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220

额定功率 68 W 38 W 60 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.1 Ω 0.075 Ω 0.28 Ω

极性 P-Channel N-Channel P-Channel

耗散功率 56 W 45 W 60 W

输入电容 620 pF 370pF @25V -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 19A 17A -11.0 A

上升时间 55 ns 34 ns -

输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) 370pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 68 W 45 W -

下降时间 41 ns 27 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 68W (Tc) 45W (Tc) -

阈值电压 - 4 V -

漏源击穿电压 - 55 V -

长度 10.54 mm 6.73 mm -

宽度 4.69 mm 6.22 mm -

高度 8.77 mm 2.39 mm -

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -