对比图
型号 FDP025N06 IRFB3006PBF STP260N6F6
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP025N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0019 ohm, 10 V, 3.5 VINFINEON IRFB3006PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 270 A, 60 V, 2.1 mohm, 20 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STP260N6F6 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0024 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 - 1
针脚数 3 4 3
漏源极电阻 0.0019 Ω 0.0021 Ω 0.0024 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 395 W 375 W 300 W
阈值电压 3.5 V 3 V 2 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 265A 270A 120A
上升时间 324 ns 182 ns 165 ns
输入电容(Ciss) 14885pF @25V(Vds) 8970pF @50V(Vds) 11400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 395 W 375 W 300 W
下降时间 250 ns 189 ns 62.6 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 395W (Tc) 375000 mW 300W (Tc)
额定功率 - 375 W -
输入电容 - 8970pF @50V -
长度 10.1 mm 10.67 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.83 mm 4.6 mm
高度 15.38 mm 9.02 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17