IRF8714TRPBF和STS11NF30L

对比图

型号 IRF8714TRPBF STS11NF30L STS11N3LLH5

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8Pin SOIC T/RN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STS11N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0117 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - 0.0085 Ω 0.0117 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.7 W

阈值电压 - 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 1020pF @15V(Vds) 1440pF @25V(Vds) 724pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.7 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) - 2500 mW 2.7W (Tc)

产品系列 IRF8714 - -

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 11.0 A -

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 11.0 A -

额定功率 - 2.5 W -

漏源击穿电压 - 30.0 V -

栅源击穿电压 - ±18.0 V -

上升时间 - 39 ns -

下降时间 - 16 ns -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.25 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17