对比图
型号 DS1270Y-70IND# DS1270AB-70# DS1270Y-70#
描述 非易失性SRAM (NVSRAM), 16Mbit, 2M x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.5V至5.5V, EDIP-36IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIPIC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP
数据手册 ---
制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 RAM芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 36 36 36
封装 EDIP-36 DIP-36 EDIP-36
电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)
针脚数 36 - -
时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz
存取时间 70 ns 70 ns 70 ns
内存容量 16000000 B 16000000 B 16000000 B
工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max) 5.5 V - 5.25 V
电源电压(Min) 4.5 V - 4.75 V
工作电压 - - 5 V
封装 EDIP-36 DIP-36 EDIP-36
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 PB free 无铅 PB free